Инвентаризация:2233

Технические детали

  • Пакет/кейс TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Технологии SiCFET (Silicon Carbide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 8.6A (Ta), 98A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 28mOhm @ 60A, 20V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 3.7W (Ta), 468W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 4.3V @ 20mA
  • Пакет устройств поставщика D2PAK-7
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 20V
  • ВГС (Макс) +25V, -15V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 1200 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 220 nC @ 20 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 2943 pF @ 800 V

Сопутствующие товары


SIC MOSFET N-CH 96A TO263-7

Инвентаризация: 18

SIC MOSFET 1200 V 14 MOHM M3P SE

Инвентаризация: 501

SICFET N-CH 1200V 60A D2PAK-7

Инвентаризация: 595

SIC MOSFET 1200 V 14 MOHM M3P SE

Инвентаризация: 189

MOSFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK

Инвентаризация: 1565

Top