- Модель продукта G3R20MT12N
- Бренд GeneSiC Semiconductor
- RoHS 1
- Описание SIC MOSFET N-CH 105A SOT227
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:1732
Технические детали
- Пакет/кейс SOT-227-4, miniBLOC
- Тип монтажа Chassis Mount
- Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
- Технологии SiCFET (Silicon Carbide)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 105A (Tc)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 24mOhm @ 60A, 15V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 365W (Tc)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 2.69V @ 15mA
- Пакет устройств поставщика SOT-227
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 15V
- ВГС (Макс) +20V, -10V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 1200 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 219 nC @ 15 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 5873 pF @ 800 V