Инвентаризация:2300

Технические детали

  • Пакет/кейс TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Технологии SiCFET (Silicon Carbide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 106A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 28.5mOhm @ 45A, 18V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 395W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 4.3V @ 15.5mA
  • Пакет устройств поставщика D2PAK-7
  • Оценка Automotive
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 15V, 18V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 650 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 164 nC @ 18 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 3480 pF @ 325 V
  • Квалификация AEC-Q101

Сопутствующие товары


SIC_DISCRETE

Инвентаризация: 1272

SICFET N-CH 700V 126A D3PAK

Инвентаризация: 0

SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL

Инвентаризация: 1218

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 1

Инвентаризация: 2330

SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL

Инвентаризация: 133

SIC MOS TO247-3L 650V

Инвентаризация: 178

SIC MOS D2PAK-7L 22MOHM 1200V

Инвентаризация: 795

SIC MOS D2PAK-7L 650V

Инвентаризация: 1590

SIC MOS D2PAK-7L 650V

Инвентаризация: 2365

SIC MOS TO247-4L 650V

Инвентаризация: 410

Top