Инвентаризация:3865

Технические детали

  • Пакет/кейс TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Технологии SiCFET (Silicon Carbide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 37A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 85mOhm @ 15A, 18V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 139W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 4.3V @ 5mA
  • Пакет устройств поставщика D2PAK-7
  • Оценка Automotive
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 15V, 18V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 650 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 59 nC @ 18 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1191 pF @ 325 V
  • Квалификация AEC-Q101

Сопутствующие товары


BUK7J1R0-40H/SOT1023/4 LEADS

Инвентаризация: 2921

SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL

Инвентаризация: 431

SICFET N-CH 900V 9.8A/112A D2PAK

Инвентаризация: 1288

SIC MOS D2PAK-7L 650V

Инвентаризация: 1590

SICFET N-CH 1200V 19.5A D2PAK

Инвентаризация: 424

AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE

Инвентаризация: 0

Top