Инвентаризация:2788

Технические детали

  • Пакет/кейс TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Технологии SiCFET (Silicon Carbide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 9.8A (Ta), 112A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 28mOhm @ 60A, 15V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 3.7W (Ta), 477W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 4.3V @ 20mA
  • Пакет устройств поставщика D2PAK-7
  • Оценка Automotive
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 15V
  • ВГС (Макс) +19V, -10V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 900 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 200 nC @ 15 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 4415 pF @ 450 V
  • Квалификация AEC-Q101

Сопутствующие товары


SICFET N-CH 900V 35A D2PAK-7

Инвентаризация: 4286

SICFET N-CH 900V 9.8A/112A D2PAK

Инвентаризация: 1035

MOSFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK

Инвентаризация: 1565

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET-ELI

Инвентаризация: 800

MOSFET N-CH 900V 5.8/44A D2PAK-7

Инвентаризация: 1460

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET-ELI

Инвентаризация: 722

SICFET N-CH 1200V 30A D2PAK-7

Инвентаризация: 626

SF3 FRFET AUTO, 89MOHM, D2PAK 7L

Инвентаризация: 800

MOSFET N-CH 100V 70A DPAK

Инвентаризация: 20816

750V/18MOHM, N-OFF SIC STACK CAS

Инвентаризация: 2125

Top