- Модель продукта NVBG040N120M3S
- Бренд Sanyo Semiconductor/onsemi
- RoHS 1
- Описание SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET-ELI
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:2300
Технические детали
- Пакет/кейс TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
- Тип монтажа Surface Mount
- Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
- Технологии SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 57A (Tc)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 54mOhm @ 20A, 18V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 263W (Tc)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 4.4V @ 10mA
- Пакет устройств поставщика D2PAK-7
- Оценка Automotive
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 18V
- ВГС (Макс) +22V, -10V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 1200 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 75 nC @ 18 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1700 pF @ 800 V
- Квалификация AEC-Q101