Инвентаризация:2535

Технические детали

  • Пакет/кейс TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Технологии SiCFET (Silicon Carbide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 9.8A (Ta), 112A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 28mOhm @ 60A, 15V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 3.7W (Ta), 477W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 4.3V @ 20mA
  • Пакет устройств поставщика D2PAK-7
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 15V
  • ВГС (Макс) +19V, -10V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 900 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 200 nC @ 15 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 4415 pF @ 450 V

Сопутствующие товары


SIC MOSFET 1200 V 14 MOHM M3P SE

Инвентаризация: 501

SICFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK

Инвентаризация: 733

SICFET N-CH 1200V 60A D2PAK-7

Инвентаризация: 595

SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL

Инвентаризация: 450

SICFET N-CH 900V 9.8A/112A D2PAK

Инвентаризация: 1288

SICFET N-CH 650V 27A D2PAK-7

Инвентаризация: 2954

Top