Инвентаризация:1924

Технические детали

  • Пакет/кейс TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Технологии SiCFET (Silicon Carbide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 19.5A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 224mOhm @ 12A, 20V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 136W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 4.3V @ 2.5mA
  • Пакет устройств поставщика D2PAK-7
  • Оценка Automotive
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 20V
  • ВГС (Макс) +25V, -15V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 1200 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 33.8 nC @ 20 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 678 pF @ 800 V
  • Квалификация AEC-Q101

Сопутствующие товары


MOSFET N/P-CH 20V 1.5A TSOP6-6

Инвентаризация: 23387

SIC, MOSFET, 21M, 1200V, TO-247-

Инвентаризация: 0

SICFET N-CH 1200V 19.5A D2PAK

Инвентаризация: 474

MOSFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK

Инвентаризация: 1565

TRANS SJT N-CH 1200V 60A D2PAK-7

Инвентаризация: 1985

MOSFET N-CH 900V 5.8/44A D2PAK-7

Инвентаризация: 1460

SIC MOS D2PAK-7L 650V

Инвентаризация: 2365

MOSFET N-CH 1200V 1.5A H2PAK-2

Инвентаризация: 1524

Top