Инвентаризация:2718

Технические детали

  • Пакет/кейс TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Технологии SiCFET (Silicon Carbide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 145A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 18mOhm @ 75A, 18V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 500W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 4.3V @ 25mA
  • Пакет устройств поставщика D2PAK-7
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 15V, 18V
  • ВГС (Макс) +22V, -8V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 650 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 283 nC @ 18 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 4689 pF @ 325 V

Сопутствующие товары


SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E

Инвентаризация: 788

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI

Инвентаризация: 115

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 1

Инвентаризация: 342

SIC MOS TO247-4L 750V

Инвентаризация: 242

750V, 98A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR

Инвентаризация: 387

650V/30MOHM, SIC, STACKED FAST C

Инвентаризация: 2668

750V/9MOHM, N-OFF SIC STACK CASC

Инвентаризация: 1328

Top