Инвентаризация:2288

Технические детали

  • Пакет/кейс TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Технологии SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 36A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 87mOhm @ 15A, 18V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 172W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 4.4V @ 7mA
  • Пакет устройств поставщика D2PAK-7
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 18V
  • ВГС (Макс) +22V, -10V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 1200 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 57 nC @ 18 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1230 pF @ 800 V

Сопутствующие товары


SIC MOSFET N-CH 11A TO247-3

Инвентаризация: 8523

MOSFET SIC 3300 V 400 MOHM TO-24

Инвентаризация: 0

SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL

Инвентаризация: 1218

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E

Инвентаризация: 763

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E

Инвентаризация: 727

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI

Инвентаризация: 115

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET-ELI

Инвентаризация: 722

Top