Инвентаризация:2235

Технические детали

  • Пакет/кейс TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Технологии SiCFET (Silicon Carbide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 46A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 70mOhm @ 20A, 18V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 170W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 4.3V @ 6.5mA
  • Пакет устройств поставщика D2PAK-7
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 15V, 18V
  • ВГС (Макс) +22V, -8V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 650 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 74 nC @ 18 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1473 pF @ 325 V

Сопутствующие товары


SIC, MOSFET, 60M, 650V, TOLL, IN

Инвентаризация: 2474

SIC MOSFET 1200 V 14 MOHM M3P SE

Инвентаризация: 501

SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL

Инвентаризация: 431

SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL

Инвентаризация: 453

SIC MOS TO247-4L 650V

Инвентаризация: 660

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI

Инвентаризация: 286

SIC MOS D2PAK-7L 650V

Инвентаризация: 2365

AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE

Инвентаризация: 0

Top