Инвентаризация:1500

Технические детали

  • Пакет/кейс TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Технологии SiCFET (Silicon Carbide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 30A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 72mOhm @ 15A, 18V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 185W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 4.2V @ 1mA
  • Пакет устройств поставщика HU3PAK
  • Оценка Automotive
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 15V, 18V
  • ВГС (Макс) +22V, -10V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 650 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 29 nC @ 18 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 721 pF @ 400 V
  • Квалификация AEC-Q101

Сопутствующие товары


650V 120M SIC MOSFET

Инвентаризация: 1475

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 4

Инвентаризация: 735

SIC MOS D2PAK-7L 650V

Инвентаризация: 800

AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE

Инвентаризация: 0

AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE

Инвентаризация: 15

SICFET N-CH 650V 45A H2PAK-7

Инвентаризация: 1704

SICFET N-CH 650V 45A H2PAK-7

Инвентаризация: 0

SICFET N-CH 1200V 60A H2PAK-7

Инвентаризация: 0

N-CHANNEL 800 V, 515 MOHM TYP.,

Инвентаризация: 20

N-CHANNEL 650 V, 19.9 MOHM TYP.,

Инвентаризация: 64

Top