- Модель продукта SCT040HU65G3AG
- Бренд STMicroelectronics
- RoHS 0
- Описание AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:1515
Технические детали
- Пакет/кейс TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
- Тип монтажа Surface Mount
- Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
- Технологии SiCFET (Silicon Carbide)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 30A (Tc)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 55mOhm @ 20A, 18V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 221W (Tc)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 4.2V @ 1mA
- Пакет устройств поставщика HU3PAK
- Оценка Automotive
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 15V, 18V
- ВГС (Макс) +22V, -10V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 650 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 39.5 nC @ 18 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 920 pF @ 400 V
- Квалификация AEC-Q101