Инвентаризация:1515

Технические детали

  • Пакет/кейс TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Технологии SiCFET (Silicon Carbide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 30A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 55mOhm @ 20A, 18V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 221W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 4.2V @ 1mA
  • Пакет устройств поставщика HU3PAK
  • Оценка Automotive
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 15V, 18V
  • ВГС (Макс) +22V, -10V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 650 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 39.5 nC @ 18 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 920 pF @ 400 V
  • Квалификация AEC-Q101

Сопутствующие товары


SICFET N-CH 1.2KV 56A TO247-3

Инвентаризация: 1648

SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247

Инвентаризация: 120

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI

Инвентаризация: 286

SIC MOS TO247-3L 650V

Инвентаризация: 515

AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE

Инвентаризация: 0

AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE

Инвентаризация: 0

1200V, 36M, 3-PIN THD, TRENCH-ST

Инвентаризация: 4714

SICFET N-CH 650V 45A H2PAK-7

Инвентаризация: 0

SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120

Инвентаризация: 600

Top