Инвентаризация:6214

Технические детали

  • Пакет/кейс TO-247-3
  • Тип монтажа Through Hole
  • Рабочая Температура 175°C (TJ)
  • Технологии SiCFET (Silicon Carbide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 43A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 47mOhm @ 21A, 18V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 176W
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 4.8V @ 11.1mA
  • Пакет устройств поставщика TO-247N
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 18V
  • ВГС (Макс) +21V, -4V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 1200 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 91 nC @ 18 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 2335 pF @ 800 V

Сопутствующие товары


SIC_DISCRETE

Инвентаризация: 967

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI

Инвентаризация: 286

SIC MOS TO247-3L 650V

Инвентаризация: 515

SICFET N-CH 1200V 95A TO247N

Инвентаризация: 146

750V, 26M, 3-PIN THD, TRENCH-STR

Инвентаризация: 4919

1200V, 43A, 3-PIN THD, TRENCH-ST

Инвентаризация: 400

1200V, 62M, 3-PIN THD, TRENCH-ST

Инвентаризация: 4744

1200V, 26A, 3-PIN THD, TRENCH-ST

Инвентаризация: 354

Top