Инвентаризация:1854

Технические детали

  • Пакет/кейс TO-247-3
  • Тип монтажа Through Hole
  • Рабочая Температура 175°C (TJ)
  • Технологии SiCFET (Silicon Carbide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 26A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 81mOhm @ 12A, 18V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 115W
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 4.8V @ 6.45mA
  • Пакет устройств поставщика TO-247N
  • Оценка Automotive
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 18V
  • ВГС (Макс) +21V, -4V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 1200 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 64 nC @ 18 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1498 pF @ 800 V
  • Квалификация AEC-Q101

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 150V 203A TO247-3

Инвентаризация: 606

SICFET N-CH 1200V 95A TO247N

Инвентаризация: 146

1200V, 36M, 3-PIN THD, TRENCH-ST

Инвентаризация: 4714

1200V, 43A, 4-PIN THD, TRENCH-ST

Инвентаризация: 336

1200V, 40A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST

Инвентаризация: 796

750V, 34A, 3-PIN THD, TRENCH-STR

Инвентаризация: 406

750V, 31A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR

Инвентаризация: 705

1200V, 62M, 3-PIN THD, TRENCH-ST

Инвентаризация: 4744

1200V, 26A, 4-PIN THD, TRENCH-ST

Инвентаризация: 313

1200V, 24A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST

Инвентаризация: 914

Top