Инвентаризация:1813

Технические детали

  • Пакет/кейс TO-247-4
  • Тип монтажа Through Hole
  • Рабочая Температура 175°C (TJ)
  • Технологии SiCFET (Silicon Carbide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 26A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 81mOhm @ 12A, 18V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 115W
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 4.8V @ 6.45mA
  • Пакет устройств поставщика TO-247-4L
  • Оценка Automotive
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 18V
  • ВГС (Макс) +21V, -4V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 1200 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 64 nC @ 18 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1498 pF @ 800 V
  • Квалификация AEC-Q101

Сопутствующие товары


ECOGAN, 650V 20A DFN8080K, E-MOD

Инвентаризация: 3614

ECOGAN, 650V 11A DFN8080AK, E-MO

Инвентаризация: 3051

SICFET N-CH 1200V 29A TO247-4

Инвентаризация: 430

SICFET N-CH 1200V 31A TO247N

Инвентаризация: 0

1200V, 31A, 4-PIN THD, TRENCH-ST

Инвентаризация: 443

1200V, 43A, 4-PIN THD, TRENCH-ST

Инвентаризация: 336

750V, 34A, 3-PIN THD, TRENCH-STR

Инвентаризация: 406

1200V, 26A, 3-PIN THD, TRENCH-ST

Инвентаризация: 354

1200V, 24A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST

Инвентаризация: 914

SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120

Инвентаризация: 600

Top