Инвентаризация:1930

Технические детали

  • Пакет/кейс TO-247-4
  • Тип монтажа Through Hole
  • Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Технологии SiCFET (Silicon Carbide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 29A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 110mOhm @ 20A, 20V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 170W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 4.3V @ 5mA
  • Пакет устройств поставщика TO-247-4L
  • Оценка Automotive
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 20V
  • ВГС (Макс) +25V, -15V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 1200 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 56 nC @ 20 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1670 pF @ 800 V
  • Квалификация AEC-Q101

Сопутствующие товары


SICFET N-CH 1200V 30A TO247-4L

Инвентаризация: 1087

SICFET N-CH 1200V 37A TO247-4

Инвентаризация: 104

SICFET N-CH 1200V 30A D2PAK-7

Инвентаризация: 759

SICFET N-CH 1200V 58A TO247-4

Инвентаризация: 875

SICFET N-CH 1200V 29A TO247-4

Инвентаризация: 427

SICFET N-CH 1200V 17.3A TO247

Инвентаризация: 1111

SICFET N-CH 1200V 60A TO247-3

Инвентаризация: 433

SICFET N-CH 1200V 17A TO247-3

Инвентаризация: 335

1200V, 26A, 4-PIN THD, TRENCH-ST

Инвентаризация: 313

TO247-4

Инвентаризация: 0

Top