Инвентаризация:1500

Технические детали

  • Пакет/кейс TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Технологии SiCFET (Silicon Carbide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 45A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 67mOhm @ 20A, 20V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 208W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 5V @ 1mA
  • Пакет устройств поставщика H2PAK-7
  • Оценка Automotive
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 18V, 20V
  • ВГС (Макс) +22V, -10V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 650 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 73 nC @ 20 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1370 pF @ 400 V
  • Квалификация AEC-Q101

Сопутствующие товары


AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE

Инвентаризация: 0

SICFET N-CH 1200V 40A H2PAK-2

Инвентаризация: 0

SICFET N-CH 650V 45A H2PAK-7

Инвентаризация: 1704

SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120

Инвентаризация: 0

SICFET N-CH 1200V 60A H2PAK-7

Инвентаризация: 0

TRANS SJT N-CH 650V PWRFLAT HV

Инвентаризация: 0

IC POWER MOSFET 1200V HIP247

Инвентаризация: 294

Top