Технические детали

• Тип монтажа Surface Mount
• Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
• Технологии SiCFET (Silicon Carbide)
• Тип полевого транзистора N-Channel
• Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 36A (Tc)
• Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 100mOhm @ 20A, 18V
• Рассеиваемая мощность (макс.) 238W (Tc)
• Vgs(th) (Макс) @ Id 4.9V @ 1mA
• Пакет устройств поставщика H2PAK-7
• Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 18V
• ВГС (Макс) +22V, -10V
• Напряжение стока к источнику (Vdss) 1200 V
• Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 61 nC @ 18 V
• Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1233 pF @ 800 V