Технические детали

• Пакет/кейс 8-PowerVDFN
• Тип монтажа Surface Mount
• Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
• Технологии SiCFET (Silicon Carbide)
• Тип полевого транзистора N-Channel
• Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 40A (Tc)
• Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 67mOhm @ 20A, 20V
• Рассеиваемая мощность (макс.) 417W (Tc)
• Vgs(th) (Макс) @ Id 5V @ 1mA
• Пакет устройств поставщика PowerFlat™ (8x8) HV
• ВГС (Макс) +22V, -10V
• Напряжение стока к источнику (Vdss) 650 V
• Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 73 nC @ 20 V
• Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1370 pF @ 400 V