- Модель продукта SCTL90N65G2V
- Бренд STMicroelectronics
- RoHS 1
- Описание SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Пакет/кейс 8-PowerVDFN
- Тип монтажа Surface Mount
- Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
- Технологии SiCFET (Silicon Carbide)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 40A (Tc)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 24mOhm @ 40A, 18V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 935W (Tc)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 5V @ 1mA
- Пакет устройств поставщика PowerFlat™ (8x8) HV
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 18V
- ВГС (Макс) +22V, -10V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 650 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 157 nC @ 18 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 3380 pF @ 400 V
Сопутствующие товары
GANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINE
Инвентаризация: 15879
MOSFET N-CH 600V 75A 8HSOF
Инвентаризация: 2240
SICFET N-CH 650V 33A H2PAK-7
Инвентаризация: 0
SICFET N-CH 650V 90A H2PAK-7
Инвентаризация: 66
TRANS SJT N-CH 650V PWRFLAT HV
Инвентаризация: 0
SICFET N-CH 650V 100A HIP247
Инвентаризация: 0
MOSFET N-CH 600V 5.6A PPAK SO-8
Инвентаризация: 0
N-CHANNEL 600 V, 0.084 OHM TYP.,
Инвентаризация: 2683
