Инвентаризация:4183

Технические детали

  • Пакет/кейс 8-PowerVDFN
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 45A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 84mOhm @ 22.5A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 174W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 4.75V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика PowerFlat™ (8x8) HV
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
  • ВГС (Макс) ±25V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 600 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 52 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 2468 pF @ 100 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 800V SOT23

Инвентаризация: 4721

MOSFET N CH

Инвентаризация: 0

MOSFET N-CH 600V 29A 8HSOF

Инвентаризация: 5653

SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650

Инвентаризация: 2740

Top