- Модель продукта SCTW35N65G2VAG
- Бренд STMicroelectronics
- RoHS 1
- Описание SICFET N-CH 650V 45A HIP247
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:1500
Технические детали
- Пакет/кейс TO-247-3
- Тип монтажа Through Hole
- Рабочая Температура -55°C ~ 200°C (TJ)
- Технологии SiCFET (Silicon Carbide)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 45A (Tc)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 67mOhm @ 20A, 20V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 240W (Tc)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 5V @ 1mA
- Пакет устройств поставщика HiP247™
- Оценка Automotive
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 18V, 20V
- ВГС (Макс) +22V, -10V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 650 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 73 nC @ 20 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1370 pF @ 400 V
- Квалификация AEC-Q101