Инвентаризация:1500

Технические детали

  • Пакет/кейс TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Технологии SiCFET (Silicon Carbide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 95A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 26mOhm @ 50A, 18V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 360W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 5V @ 5mA
  • Пакет устройств поставщика H2PAK-7
  • Оценка Automotive
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 18V
  • ВГС (Макс) +22V, -10V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 650 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 162 nC @ 18 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 3315 pF @ 520 V
  • Квалификация AEC-Q101

Сопутствующие товары


SIC MOS D2PAK-7L 650V

Инвентаризация: 707

SIC MOS D2PAK-7L 650V

Инвентаризация: 800

SICFET N-CH 650V 45A H2PAK-7

Инвентаризация: 0

SICFET N-CH 650V 33A H2PAK-7

Инвентаризация: 0

SICFET N-CH 1200V 60A H2PAK-7

Инвентаризация: 0

SICFET N-CH 650V 100A HIP247

Инвентаризация: 0

IC POWER MOSFET 1200V HIP247

Инвентаризация: 526

IC POWER MOSFET 1200V HIP247

Инвентаризация: 294

TRANS SJT N-CH 650V 119A HIP247

Инвентаризация: 0

Top