Технические детали

• Пакет/кейс 4-PowerTSFN
• Тип монтажа Surface Mount
• Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
• Технологии SiCFET (Silicon Carbide)
• Тип полевого транзистора N-Channel
• Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 55A (Tc)
• Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 50mOhm @ 25A, 18V
• Рассеиваемая мощность (макс.) 187W (Tc)
• Vgs(th) (Макс) @ Id 4.3V @ 8mA
• Пакет устройств поставщика 4-TDFN (8x8)
• Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 15V, 18V
• ВГС (Макс) +22V, -8V
• Напряжение стока к источнику (Vdss) 650 V
• Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 105 nC @ 18 V
• Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1870 pF @ 325 V