Инвентаризация:3370

Технические детали

  • Пакет/кейс 8-PowerSFN
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Технологии SiCFET (Silicon Carbide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 77A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 34mOhm @ 33.5A, 15V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 326W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 3.6V @ 9.22mA
  • Пакет устройств поставщика TOLL
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 15V
  • ВГС (Макс) -8V, +19V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 650 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 111 nC @ 15 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 2970 pF @ 400 V

Сопутствующие товары


SICFET N-CH 1200V 90A TO247-3

Инвентаризация: 363

SICFET N-CH 1200V 36A TO247-3

Инвентаризация: 1585

GEN 3 650V 25 M SIC MOSFET

Инвентаризация: 742

650V 25 M SIC MOSFET

Инвентаризация: 418

SIC, MOSFET 25 M, 650V TO-263-7X

Инвентаризация: 800

SIC, MOSFET, 60M, 650V, TOLL, IN

Инвентаризация: 2474

650V 120M SIC MOSFET

Инвентаризация: 597

SILICON CARBIDE MOSFET

Инвентаризация: 262

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 3

Инвентаризация: 309

Top