Инвентаризация:2097

Технические детали

  • Пакет/кейс TO-247-4
  • Тип монтажа Through Hole
  • Рабочая Температура -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Технологии SiCFET (Silicon Carbide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 22A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 157mOhm @ 6.76A, 15V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 98W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 3.6V @ 1.86mA
  • Пакет устройств поставщика TO-247-4L
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 15V
  • ВГС (Макс) +19V, -8V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 650 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 28 nC @ 15 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 640 pF @ 400 V

Сопутствующие товары


10.00 MM TERMINAL BLOCK, HORIZON

Инвентаризация: 365

SICFET N-CH 650V 120A TO247-4L

Инвентаризация: 879

650V 45 M SIC MOSFET

Инвентаризация: 475

GEN 3 650V 49A SIC MOSFET

Инвентаризация: 19

SICFET N-CH 650V 37A TO247-3

Инвентаризация: 743

SICFET N-CH 650V 37A TO247-4L

Инвентаризация: 136

650V 120M SIC MOSFET

Инвентаризация: 461

60M 650V SIC AUTOMOTIVE MOSFET

Инвентаризация: 39

30A, BRIDGE, GBU

Инвентаризация: 1399

Top