Инвентаризация:2243

Технические детали

  • Пакет/кейс TO-247-3
  • Тип монтажа Through Hole
  • Рабочая Температура -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Технологии SiCFET (Silicon Carbide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 37A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 79mOhm @ 13.2A, 15V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 150W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 3.6V @ 5mA
  • Пакет устройств поставщика TO-247-3
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 15V
  • ВГС (Макс) +15V, -4V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 650 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 46 nC @ 15 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1020 pF @ 600 V

Сопутствующие товары


SICFET N-CH 1200V 63A TO247-3

Инвентаризация: 263

SICFET N-CH 650V 37A TO247-4L

Инвентаризация: 136

SICFET N-CH 1200V 30A TO247-3

Инвентаризация: 992

650V 120M SIC MOSFET

Инвентаризация: 461

650V 120M SIC MOSFET

Инвентаризация: 597

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI

Инвентаризация: 286

SIC MOS TO247-3L 650V

Инвентаризация: 285

Top