Инвентаризация:1539

Технические детали

  • Пакет/кейс TO-247-4
  • Тип монтажа Through Hole
  • Рабочая Температура -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Технологии SiCFET (Silicon Carbide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 37A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 79mOhm @ 13.2A, 15V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 131W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 3.6V @ 3.6mA
  • Пакет устройств поставщика TO-247-4L
  • Оценка Automotive
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 15V
  • ВГС (Макс) +19V, -8V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 650 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 49 nC @ 15 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1170 pF @ 600 V
  • Квалификация AEC-Q101

Сопутствующие товары


SENSOR CURRENT HALL 65A 16SOIC

Инвентаризация: 5824

650V 120M SIC MOSFET

Инвентаризация: 1475

1200V AUTOMOTIVE SIC 75MOHM FET

Инвентаризация: 260

900V 120M AUTOMOTIVE SIC MOSFET

Инвентаризация: 512

MOSFET N-CH 250V 64A TO263-3

Инвентаризация: 1330

GAN FET N-CH 650V TO-220

Инвентаризация: 3027

Top