- Модель продукта TP65H150G4PS
- Бренд Transphorm
- RoHS 1
- Описание GAN FET N-CH 650V TO-220
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Пакет/кейс TO-220-3
- Тип монтажа Through Hole
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Технологии GaNFET (Gallium Nitride)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 16A (Tc)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 180mOhm @ 8.5A, 10V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 83W (Tc)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 4.8V @ 500µA
- Пакет устройств поставщика TO-220AB
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
- ВГС (Макс) ±20V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 650 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 8 nC @ 10 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 598 pF @ 400 V
Сопутствующие товары
60M 650V SIC AUTOMOTIVE MOSFET
Инвентаризация: 39
MOSFET N-CH 500V 13A TO220-3
Инвентаризация: 471
MOSFET N-CH 650V 4.7A TO251-3
Инвентаризация: 0
650 V 95 A GAN FET
Инвентаризация: 713
650 V 46.5 GAN FET
Инвентаризация: 281
GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3
Инвентаризация: 302
650 V 34 A GAN FET
Инвентаризация: 213
650 V 35 A GAN FET HIGH VOLTAGE
Инвентаризация: 402
GANFET N-CH 650V 29A TO220
Инвентаризация: 1076
GAN FET N-CH 650V PQFN
Инвентаризация: 2834
