- Модель продукта TP65H070G4PS
- Бренд Transphorm
- RoHS 1
- Описание GANFET N-CH 650V 29A TO220
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Пакет/кейс TO-220-3
- Тип монтажа Through Hole
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Технологии GaNFET (Gallium Nitride)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 29A (Tc)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 85mOhm @ 18A, 10V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 96W (Tc)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 4.7V @ 700µA
- Пакет устройств поставщика TO-220AB
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
- ВГС (Макс) ±20V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 650 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 9 nC @ 10 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 638 pF @ 400 V
Сопутствующие товары
HIGH POWER_NEW
Инвентаризация: 198
650 V 95 A GAN FET
Инвентаризация: 713
GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3
Инвентаризация: 590
GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3
Инвентаризация: 302
650 V 34 A GAN FET
Инвентаризация: 193
650 V 34 A GAN FET
Инвентаризация: 213
GANFET N-CH 650V 29A QFN8X8
Инвентаризация: 2981
GAN FET N-CH 650V TO-220
Инвентаризация: 3027
