- Модель продукта TP65H070G4LSGB-TR
- Бренд Transphorm
- RoHS 1
- Описание GANFET N-CH 650V 29A QFN8X8
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Пакет/кейс 8-PowerTDFN
- Тип монтажа Surface Mount
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Технологии GaNFET (Gallium Nitride)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 29A (Tc)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 85mOhm @ 16A, 10V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 96W (Tc)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 4.6V @ 700µA
- Пакет устройств поставщика 8-PQFN (8x8)
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
- ВГС (Макс) ±20V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 650 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 8.4 nC @ 10 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 600 pF @ 400 V
Сопутствующие товары
650 V, 190 MOHM GALLIUM NITRIDE
Инвентаризация: 1971
650 V 95 A GAN FET
Инвентаризация: 713
650 V 34 A GAN FET
Инвентаризация: 193
650 V 34 A GAN FET
Инвентаризация: 213
GANFET N-CH 650V 36A TO247-3
Инвентаризация: 43
GANFET N-CH 650V 29A QFN8X8
Инвентаризация: 2686
GANFET N-CH 650V 29A TO220
Инвентаризация: 1076
650 V 29 A GAN FET
Инвентаризация: 0
GANFET N-CH 650V 13A QFN5X6
Инвентаризация: 3791
GAN FET N-CH 650V TO-220
Инвентаризация: 3027
