Инвентаризация:1564

Технические детали

  • Пакет/кейс TO-247-4
  • Тип монтажа Through Hole
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 95A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 23mOhm @ 48A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 463W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 4.2V @ 250µA
  • Пакет устройств поставщика TO-247-4
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
  • ВГС (Макс) ±30V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 650 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 230 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 8844 pF @ 400 V

Сопутствующие товары


AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE

Инвентаризация: 0

SICFET N-CH 1200V 17A TO247N

Инвентаризация: 1990

650 V, 75 MOHM TYP., 15 A, E-MOD

Инвентаризация: 0

DISCRETE

Инвентаризация: 56

AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 1200

Инвентаризация: 0

N-CHANNEL 800 V, 515 MOHM TYP.,

Инвентаризация: 20

N-CHANNEL 650 V, 39 MOHM TYP., 5

Инвентаризация: 100

N-CHANNEL 600 V, 38 MOHM TYP., 5

Инвентаризация: 144

N-CHANNEL 650 V, 19.9 MOHM TYP.,

Инвентаризация: 36

N-CHANNEL 650 V, 39 MOHM TYP., 5

Инвентаризация: 0

Top