Инвентаризация:1500

Технические детали

  • Пакет/кейс TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 12A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 690mOhm @ 6A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 250W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 5V @ 100µA
  • Пакет устройств поставщика H2PAK-2
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
  • ВГС (Макс) ±30V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 1200 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 44.2 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1370 pF @ 100 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 1200V 6A TO263

Инвентаризация: 3694

SICFET N-CH 1200V 20A H2PAK-2

Инвентаризация: 0

IGBT TRENCH FS 1.35KV 50A TO247

Инвентаризация: 77

MOSFET N-CH 1200V 12A H2PAK-2

Инвентаризация: 1072

MOSFET N-CH 1200V 1.5A H2PAK-2

Инвентаризация: 1524

N-CHANNEL 650 V, 19.9 MOHM TYP.,

Инвентаризация: 64

Top