Инвентаризация:1500

Технические детали

  • Пакет/кейс 5-SMD, No Lead
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии GaNFET (Gallium Nitride)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 80A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 14.5mOhm @ 30A, 5V
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 2.5V @ 7mA
  • Пакет устройств поставщика 5-SMD
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 5V
  • ВГС (Макс) +6V, -4V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 200 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1313 pF @ 100 V

Сопутствующие товары


TRANS GAN 200V .010OHM 7QFN

Инвентаризация: 25364

GAN FET HEMT200V18A COTS 4FSMD-B

Инвентаризация: 105

GAN FET HEMT 100V 90A COTS 5UB

Инвентаризация: 8

GAN FET HEMT 200V 18A 4FSMD-B

Инвентаризация: 51

SIC MOS D2PAK-7L 650V

Инвентаризация: 707

MOSFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK

Инвентаризация: 1565

650 V 95 A GAN FET

Инвентаризация: 713

Top