- Модель продукта EPC7007BC
- Бренд EPC Space
- RoHS 0
- Описание GAN FET HEMT200V18A COTS 4FSMD-B
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Пакет/кейс 4-SMD, No Lead
- Тип монтажа Surface Mount
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 18A (Tc)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 28mOhm @ 18A, 5V
- Vgs(th) (Макс) @ Id 2.5V @ 3mA
- Пакет устройств поставщика 4-SMD
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 5V
- ВГС (Макс) +6V, -4V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 200 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 5.4 nC @ 5 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 525 pF @ 100 V
Сопутствующие товары
VOLTAGE REGULATOR
Инвентаризация: 0
TRANS GAN BUMPED DIE
Инвентаризация: 12647
GANFET 2N-CH 60V 23A DIE
Инвентаризация: 3615
TRANS GAN 100V .0042 OHM 6LGA
Инвентаризация: 7026
GAN FET HEMT 100V 5A COTS 4UB
Инвентаризация: 144
GAN FET HEMT 40V 95A COTS 5UB
Инвентаризация: 95
GAN FET HEMT 200V 80A COTS 5UB
Инвентаризация: 0
GAN FET HEMT200V18A COTS 4FSMD-B
Инвентаризация: 62
50V 10A DUAL LOW SIDE DRIVER
Инвентаризация: 15
