Инвентаризация:1595

Технические детали

  • Пакет/кейс 5-SMD, No Lead
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии GaNFET (Gallium Nitride)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 80A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 4mOhm @ 50A, 5V
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 2.5V @ 18mA
  • Пакет устройств поставщика 5-SMD
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 5V
  • ВГС (Макс) +6V, -4V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 40 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 2830 pF @ 20 V

Сопутствующие товары


GANFET 2N-CH 60V 23A DIE

Инвентаризация: 3615

GANFET 2N-CH 30V 16A DIE

Инвентаризация: 19824

GAN FET HEMT 60V 1A COTS 4UB

Инвентаризация: 82

GAN FET HEMT 100V 90A COTS 5UB

Инвентаризация: 8

MOSFET 200V 4A 4SMD

Инвентаризация: 330

GAN FET HEMT200V18A COTS 4FSMD-B

Инвентаризация: 62

50V 10A HALF BRIDGE

Инвентаризация: 11

Top