- Модель продукта EPC7018GC
- Бренд EPC Space
- RoHS No
- Описание GAN FET HEMT 100V 90A COTS 5UB
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Тип монтажа 5-SMD, No Lead
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение GaNFET (Gallium Nitride)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 80A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 6mOhm @ 40A, 5V
- Барьерный тип 2.5V @ 12mA
- Максимальное переменное напряжение 5-SMD
- Длина ремня 5V
- Шаг Количество +6V, -4V
- 100 V
- 11.7 nC @ 5 V
- 1240 pF @ 50 V
Сопутствующие товары
TRANS GAN BUMPED DIE
Инвентаризация: 12647
GANFET 2N-CH 80V 28A DIE
Инвентаризация: 5983
TRANS GAN 100V DIE .0018OHM
Инвентаризация: 49640
GAN FET HEMT100V30A COTS 4FSMD-B
Инвентаризация: 73
GAN FET HEMT 60V 1A COTS 4UB
Инвентаризация: 82
DUAL HIGH & LOW SIDE DRIVER
Инвентаризация: 8
GaNFET N-CH 650V 5A DFN6x8
Инвентаризация: 450
