- Модель продукта EPC2102
- Бренд EPC
- RoHS 1
- Описание GANFET 2N-CH 60V 23A DIE
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
-
PDF
Инвентаризация:5115
Технические детали
- Пакет/кейс Die
- Тип монтажа Surface Mount
- Конфигурация 2 N-Channel (Half Bridge)
- Рабочая Температура -40°C ~ 150°C (TJ)
- Технологии GaNFET (Gallium Nitride)
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 60V
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 23A
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 830pF @ 30V
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 4.4mOhm @ 20A, 5V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 6.8nC @ 5V
- Vgs(th) (Макс) @ Id 2.5V @ 7mA
- Пакет устройств поставщика Die
Сопутствующие товары
GANFET N-CH 40V 29A DIE
Инвентаризация: 34495
