Инвентаризация:26864

Технические детали

  • Пакет/кейс 7-PowerWQFN
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии GaNFET (Gallium Nitride)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 48A (Ta)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 10mOhm @ 16A, 10V
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 2.5V @ 4mA
  • Пакет устройств поставщика 7-QFN (3x5)
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 5V
  • ВГС (Макс) +6V, -4V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 200 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 10.6 nC @ 5 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1401 pF @ 100 V

Сопутствующие товары


TRANS GAN 200V .005OHM 3X5PQFN

Инвентаризация: 38115

TRANS GAN 150V .006OHM 3X5PQFN

Инвентаризация: 51406

650 V 95 A GAN FET

Инвентаризация: 713

Top