- Модель продукта IMBG120R012M2HXTMA1
- Бренд IR (Infineon Technologies)
- RoHS 1
- Описание SIC DISCRETE
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:1500
Технические детали
- Пакет/кейс TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
- Тип монтажа Surface Mount
- Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
- Технологии SiCFET (Silicon Carbide)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 144A (Tc)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 12.2mOhm @ 56.7A, 18V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 600W (Tc)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 5.1V @ 17.8mA
- Пакет устройств поставщика PG-TO263-7-12
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 15V, 18V
- ВГС (Макс) +23V, -10V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 1200 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 124 nC @ 18 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 4050 pF @ 800 V