Инвентаризация:1500

Технические детали

  • Пакет/кейс TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Технологии SiCFET (Silicon Carbide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 144A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 12.2mOhm @ 56.7A, 18V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 600W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 5.1V @ 17.8mA
  • Пакет устройств поставщика PG-TO263-7-12
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 15V, 18V
  • ВГС (Макс) +23V, -10V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 1200 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 124 nC @ 18 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 4050 pF @ 800 V

Сопутствующие товары


SIC_DISCRETE

Инвентаризация: 1272

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 840

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 941

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 958

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 884

SICFET N-CH 650V 238A TO263-7

Инвентаризация: 460

SILICON CARBIDE MOSFET

Инвентаризация: 0

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 0

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 47

SIC MOSFET 1200 V 14 MOHM M3P SE

Инвентаризация: 501

Top