Инвентаризация:1500

Технические детали

  • Пакет/кейс TO-247-4
  • Тип монтажа Through Hole
  • Рабочая Температура -55°C ~ 200°C (TJ)
  • Технологии SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 56A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 37mOhm @ 25A, 18V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 388W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 4.2V @ 5mA
  • Пакет устройств поставщика TO-247-4
  • Оценка Automotive
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 15V, 18V
  • ВГС (Макс) +18V, -5V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 1200 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 73 nC @ 18 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1990 pF @ 800 V
  • Квалификация AEC-Q101

Сопутствующие товары


SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI

Инвентаризация: 115

TO247-4

Инвентаризация: 0

TO247-4

Инвентаризация: 0

TO247-4

Инвентаризация: 0

TO247-4

Инвентаризация: 0

Top