Инвентаризация:1619

Технические детали

  • Пакет/кейс TO-247-3
  • Тип монтажа Through Hole
  • Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Технологии SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 4.2A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 1.43Ohm @ 2A, 20V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 48W
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 4.3V @ 640µA
  • Пакет устройств поставщика TO-247-3
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 20V
  • ВГС (Макс) +25V, -15V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 1700 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 14 nC @ 20 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 150 pF @ 1000 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO3P

Инвентаризация: 5307

SIC MOSFET N-CH 4A TO247-3

Инвентаризация: 8703

SIC MOSFET N-CH 11A TO247-3

Инвентаризация: 8523

SICFET N-CH 1700V 750OHM TO247-3

Инвентаризация: 1467

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET EL

Инвентаризация: 653

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 1

Инвентаризация: 342

SICFET N-CH 1700V 3.7A TO3PFM

Инвентаризация: 2213

N-CHANNEL MOSFET,TO-247AB

Инвентаризация: 306

MOSFET N-CH 1200V 6A TO220

Инвентаризация: 962

SICFET N-CH 1700V 7.6A TO247-3

Инвентаризация: 75424

Top