Инвентаризация:2462

Технические детали

  • Пакет/кейс TO-220-3
  • Тип монтажа Through Hole
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 6A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 2Ohm @ 2.5A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 130W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 5V @ 100µA
  • Пакет устройств поставщика TO-220
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
  • ВГС (Макс) ±30V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 1200 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 13.7 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 505 pF @ 100 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 1200V 3A TO220AB

Инвентаризация: 5066

MOSFET N-CH 1200V 6A TO220AB

Инвентаризация: 186

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET EL

Инвентаризация: 119

MOSFET N-CH 1200V 12A TO220FP

Инвентаризация: 610

MOSFET N-CH 1500V 4A TO220AB

Инвентаризация: 1261

MOSFET N-CH 1200V 12A TO247

Инвентаризация: 597

MOSFET N-CH 1200V 6A TO247

Инвентаризация: 16689

Top