Инвентаризация:1501

Технические детали

  • Пакет/кейс TO-247-3
  • Тип монтажа Through Hole
  • Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 21A (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 225mOhm @ 8A, 20V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 147W (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 4.5V @ 500µA
  • Пакет устройств поставщика TO-247-3
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 5V, 20V
  • ВГС (Макс) +23V, -10V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 1200 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 36 nC @ 20 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 530 pF @ 1000 V

Сопутствующие товары


SILICON CARBIDE MOSFET, ENHANCEM

Инвентаризация: 240

SIC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4

Инвентаризация: 32

SIC, MOSFET, 120M, 900V, TO-263-

Инвентаризация: 0

SIC MOSFET N-CH 22A TO247-3

Инвентаризация: 3704

TRANS SJT N-CH 700V 140A TO247-4

Инвентаризация: 46

MOSFET SIC 1200V 17 MOHM TO-247

Инвентаризация: 2

SICFET N-CH 1700V 7A TO247-3

Инвентаризация: 232

SICFET N-CH 1200V 17A TO247N

Инвентаризация: 1990

N-CHANNEL MOSFET,TO-247AB

Инвентаризация: 306

Top