Технические детали

• Пакет/кейс TO-247-4
• Тип монтажа Through Hole
• Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
• Технологии SiCFET (Silicon Carbide)
• Тип полевого транзистора N-Channel
• Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 37.2A (Tc)
• Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 100mOhm @ 20A, 15V
• Рассеиваемая мощность (макс.) 208W (Tc)
• Vgs(th) (Макс) @ Id 3.5V @ 5mA
• Пакет устройств поставщика TO-247-4
• Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 15V
• ВГС (Макс) +19V, -8V
• Напряжение стока к источнику (Vdss) 1200 V
• Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 52 nC @ 15 V
• Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1516 pF @ 1000 V