- Модель продукта G3R40MT12D
- Бренд GeneSiC Semiconductor
- RoHS 1
- Описание SIC MOSFET N-CH 71A TO247-3
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Пакет/кейс TO-247-3
- Тип монтажа Through Hole
- Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
- Технологии SiCFET (Silicon Carbide)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 71A (Tc)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 48mOhm @ 35A, 15V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 333W (Tc)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 2.69V @ 10mA
- Пакет устройств поставщика TO-247-3
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 15V
- ВГС (Макс) ±15V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 1200 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 106 nC @ 15 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 2929 pF @ 800 V
Сопутствующие товары
1200V SILICON CARBIDE MOSFET
Инвентаризация: 240
1200V 12M TO-247-4 G3R SIC MOSFE
Инвентаризация: 404
SIC MOSFET N-CH 128A TO247-4
Инвентаризация: 1085
SIC MOSFET N-CH 90A TO247-4
Инвентаризация: 1603
SIC MOSFET N-CH 11A TO247-3
Инвентаризация: 8523
SIC MOSFET N-CH 71A TO247-4
Инвентаризация: 0
SICFET N-CH 1.2KV 36A TO247-3
Инвентаризация: 236
SICFET N-CH 1200V 60A TO247-3
Инвентаризация: 738
