- Модель продукта TP65H035WSQA
- Бренд Transphorm
- RoHS 1
- Описание GANFET N-CH 650V 47.2A TO247-3
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Пакет/кейс TO-247-3
- Тип монтажа Through Hole
- Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
- Технологии GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 47.2A (Tc)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 41mOhm @ 32A, 10V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 187W (Tc)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 4.5V @ 1mA
- Пакет устройств поставщика TO-247-3
- Оценка Automotive
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
- ВГС (Макс) ±20V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 650 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 24 nC @ 10 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1500 pF @ 400 V
- Квалификация AEC-Q101
Сопутствующие товары
GAN041-650WSB/SOT429/TO-247
Инвентаризация: 263
GANFET N-CH 650V 34.5A TO247-3
Инвентаризация: 570
650 V 46.5 GAN FET
Инвентаризация: 281
GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3
Инвентаризация: 302
650 V 34 A GAN FET
Инвентаризация: 213
GANFET N-CH 650V 34A TO247-3
Инвентаризация: 317
GANFET N-CH 650V 36A TO247-3
Инвентаризация: 43
GANFET N-CH 650V 29A TO220
Инвентаризация: 1076
MOSFET 650V, 480mOhm
Инвентаризация: 0
GANFET N-CH 900V 34A TO247-3
Инвентаризация: 107
