- Модель продукта TP90H050WS
- Бренд Transphorm
- RoHS 0
- Описание GANFET N-CH 900V 34A TO247-3
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Пакет/кейс TO-247-3
- Тип монтажа Through Hole
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C
- Технологии GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 34A (Tc)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 63mOhm @ 22A, 10V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 119W (Tc)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 4.4V @ 700µA
- Пакет устройств поставщика TO-247-3
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
- ВГС (Макс) ±20V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 900 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 17.5 nC @ 10 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 980 pF @ 600 V
Сопутствующие товары
SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247
Инвентаризация: 60
RF MOSFET GAN HEMT 400V PWRFLAT
Инвентаризация: 0
650 V 95 A GAN FET
Инвентаризация: 713
GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3
Инвентаризация: 590
650 V 34 A GAN FET
Инвентаризация: 213
GANFET N-CH 650V 34A TO247-3
Инвентаризация: 317
GANFET N-CH 650V 36A TO247-3
Инвентаризация: 43
MOSFET 650V, 480mOhm
Инвентаризация: 0
