- Модель продукта EPC2218A
- Бренд EPC
- RoHS 1
- Описание TRANS GAN 80V .0032OHM AECQ101
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Пакет/кейс Die
- Тип монтажа Surface Mount
- Рабочая Температура -40°C ~ 150°C (TJ)
- Технологии GaNFET (Gallium Nitride)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 60A (Ta)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 3.2mOhm @ 25A, 5V
- Vgs(th) (Макс) @ Id 2.5V @ 7mA
- Пакет устройств поставщика Die
- Оценка Automotive
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 5V
- ВГС (Макс) +6V, -4V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 80 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 13.6 nC @ 5 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1570 pF @ 50 V
- Квалификация AEC-Q101
Сопутствующие товары
GANFET N-CH 100V 16A DIE
Инвентаризация: 35335
TRANS GAN BUMPED DIE
Инвентаризация: 12647
GANFET N-CH 40V 29A DIE
Инвентаризация: 34495
GAN FET 80V .0036OHM 8BUMP DIE
Инвентаризация: 3625
GANFET 2N-CH 120V 3.4A DIE
Инвентаризация: 14425
TRANS GAN 80V .006OHM AECQ101
Инвентаризация: 25981
GANFET N-CH 100V DIE
Инвентаризация: 15356
